پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 46 |
| تعداد شماره‌ها | 1,226 |
| تعداد مقالات | 10,537 |
| تعداد مشاهده مقاله | 20,945,951 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 14,213,325 |
بررسی جامع خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi2N4 مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 16 آبان 1404 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2025.75922.1259 | ||
| نویسنده | ||
| نصرتعلی وهابزاده* | ||
| گروه فیزیک، واحد پارساباد مغان ،دانشگاه آزاد اسلامی،پارساباد،ایران | ||
| چکیده | ||
| در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان می‌دهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکم‌پذیری پایین این ماده را تأیید می‌کند. تحلیل ساختار نواری و چگالی حالات (DOS/PDOS) گاف نواری مستقیم با مقدار تقریبی ۲ الکترون ولت را آشکار می‌سازد که این ویژگی MoSi₂N₄ را برای کاربردهای اپتوالکترونیکی نویدبخش می‌سازد. بررسی طیف فونونی نیز پایداری دینامیکی ماده را تأیید کرده و نشان می‌دهد که ارتعاشات فونونی شرایط مناسبی برای هدایت حرارتی و برهم‌کنش الکترون–فونون فراهم می‌کنند. نتایج اپتیکی حاکی از ناهمسانگردی قابل توجه در ثابت دی‌الکتریک، تابع جذب و پاسخ پلاسمونی در محدوده مرئی و فرابنفش است. علاوه بر این، پارامترهای ترموالکتریک محاسبه‌شده نظیر ضریب سیبک و ضریب مریت ZT پتانسیل MoSi₂N₄ برای کاربرد در فناوری‌های انرژی حرارتی–الکتریکی را برجسته می‌کنند. این یافته‌ها MoSi₂N₄ را به‌عنوان یک ماده‌ی دوبعدی چندمنظوره با قابلیت‌های بالقوه در نانوالکترونیک، اپتوالکترونیک و انرژی معرفی می‌کنند. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| نظریه تابعی چگالی؛ ترکیبات دو بعدی؛ MoSi2N4؛ ترموالکتریک | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Comprehensive Investigation of the Structural, Electronic, Optical, and Thermoelectric Properties of the Two-Dimensional MoSi₂N₄ Material: A Density Functional Theory (DFT)-Based Study | ||
| نویسندگان [English] | ||
| nosratali vahabzadeh | ||
| Department of physics, PaM.C., Islamic Azad university, Parsabad, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| In this study, we systematically investigate the structural, electronic, optical, and thermoelectric properties of the two-dimensional (2D) material MoSi₂N₄ using density functional theory (DFT)-based calculations. Energy–volume analysis confirms the thermodynamic stability of MoSi₂N₄, as evidenced by its high bulk modulus, mechanical hardness, and low compressibility. Electronic band structure and density of states (DOS/PDOS) analyses reveal a direct band gap of approximately 2 eV, suggesting its strong potential for optoelectronic applications. Phonon spectrum analysis further validates the material’s dynamical stability and indicates favorable phonon characteristics for thermal conductivity and electron–phonon coupling. Optical calculations demonstrate pronounced anisotropy in the dielectric function, absorption spectra, and plasmonic response across the visible and ultraviolet regions. Additionally, the computed thermoelectric parameters, including the Seebeck coefficient and figure of merit (ZT), highlight the promise of MoSi₂N₄ for thermoelectric energy conversion technologies. Overall, these findings identify MoSi₂N₄ as a multifunctional 2D material with significant potential for applications in nanoelectronics, optoelectronics, and energy-related devices. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| DFT, MoSi2N4, 2D, Phonon, Thermoelectric | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1 |
||