پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 48 |
| تعداد شمارهها | 1,242 |
| تعداد مقالات | 10,662 |
| تعداد مشاهده مقاله | 21,780,924 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 14,662,776 |
اثر جهتگیری محور نوری بر شدت عبور فیلتر تراهرتز در بلور مگنتو فوتونی شامل نیمرسانای ناهمسانگرد | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 07 دی 1404 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2025.76877.1283 | ||
| نویسندگان | ||
| فاطمه مسلمی* 1؛ بهنام کاظم پور2 | ||
| 1دانشگاه شهید مدنی آذربایجان | ||
| 2گروه فیزیک، واحد اهر، دانشگاه آزاد اسلامی، اهر، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این کار اثر جهتگیری محور نوری بر شدت عبور فیلتر تراهرتز در بلور مگنتو فوتونی مطالعه شدهاست. طیف عبوری ساختار پیشنهادی با آرایش متقارن (AB)7 InAs (BA)7 که در آن A، B لایههای دیالکتریک معمولی و لایه نقص InAs نیمرسانای ناهمسانگرد هستند با روش ماتریس انتقال 4×4 برای هر دو قطبش p,s محاسبه شدهاست. وجود لایه نقص سبب ایجاد مد نقص ( فیلتر) در گاف باند فوتونی ساختار میشود. نتایج نشان میدهند پهنای گاف باند و مکان فرکانسی فیلتر مستقل از تغییرات زاویه محور نوری است ولی وابستگی شدت عبور به جهت محور نوری امکان تحقق قانون مالوس از ساختار پیشنهادی را در ناحیه فرکانسی تراهرتز برای هر دو قطبش فراهم کرده است. روند تغییرات شدت عبوری فیلتر تراهرتز با زاویه محور نوری در قطبش (p) s رفتاری مخالف قطبش (s) p دارد و کوپل شدگی قطبشها در زاویه 45 درجه محور نوری اتفاق میافتد. اثرات همزمان دما و شدت میدان مغناطیسی بر مکان فرکانس و شدت عبور فیلتر در بازه تغییرات زاویه محور نوری نیز بررسی شده است. ساختار پیشنهادی می تواند به عنوان قطبشگر جدید در محدوده فرکانسی تراهرتز مورد استفاده قرار گیرد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| بلور مگنتو فوتونی؛ کنترل پذیر؛ فیلتر تراهرتز؛ محور نوری؛ نیمرسانای ناهمسانگرد InAs | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Effect of Optical Axis Orientation on the Transmission Intensity of the Terahertz Filter in Magneto Photonic Crystal Containing Anisotropic Semiconductor | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Fatemeh Moslemi1؛ Behnam Kazempour2 | ||
| 1Azarbaijan Shahid Madani University | ||
| 2Department of Physics,T Ahar Branch، Islamic Azad University، Ahar، Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| In this work, the effect of optical axis orientation on the transmission intensity of a terahertz filter in a magneto photonic crystal is studied. The transmission spectrum of the proposed structure with symmetric arrangement of (AB)7 InAs (BA)7 for both s and p polarizations is calculated using the 4×4 transfer matrix method where A, B layers are the common dielectric materials and InAs defect layer is an anisotropic semiconductor. The presence of defect layer will be cause to appear a defect mode (filter) inside the photonic band gap of the structure. The results show that band gap width and frequency location of the filter are independent of the changes of the optical axis angle but the dependence of transmission intensity on the optical axis direction it is possible to realization of Malus law of the proposed structure in the terahertz frequency range for both s and p polarizations. The trend of transmission intensity changes of the THz filter with the optical axis angle in the s (p) polarization has the opposite behavior to the p (s) polarization and the coupling of modes occurs at 450 optical axis angle. Also, The simultaneous effects of temperature and magnetic field intensity on the frequency localization and the filter transmission intensity in the range of changes in the optical axis angle have been investigated. The proposed structure can be used as a new polarizer in the terahertz frequency range. | ||
| کلیدواژهها [English] | ||
| Magneto Photonic Crystal, Controllable, Terahertz Filter, Optical Axis, InAs Anisotropic Semiconductor | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 6 |
||