اخبار و اعلانات

 آمار

تعداد نشریات49
تعداد شماره‌ها1,261
تعداد مقالات10,847
تعداد مشاهده مقاله22,204,737
تعداد دریافت فایل اصل مقاله14,929,262
الماجی, علا, حقیقت زاده, آزاده. (1404). تاثیر جهت گیری میدان الکتریکی بر جابجایی اشتارک گذارهای درون باندی در چاه کوانتومی شبه V-شکل GaAs/Ga0.55Al0.45As تحت تابش لیزر. فصلنامه علمی زیست فناوری گیاهان زراعی, (), -. doi: 10.30473/jphys.2026.77086.1286
علا الماجی; آزاده حقیقت زاده. "تاثیر جهت گیری میدان الکتریکی بر جابجایی اشتارک گذارهای درون باندی در چاه کوانتومی شبه V-شکل GaAs/Ga0.55Al0.45As تحت تابش لیزر". فصلنامه علمی زیست فناوری گیاهان زراعی, , , 1404, -. doi: 10.30473/jphys.2026.77086.1286
الماجی, علا, حقیقت زاده, آزاده. (1404). 'تاثیر جهت گیری میدان الکتریکی بر جابجایی اشتارک گذارهای درون باندی در چاه کوانتومی شبه V-شکل GaAs/Ga0.55Al0.45As تحت تابش لیزر', فصلنامه علمی زیست فناوری گیاهان زراعی, (), pp. -. doi: 10.30473/jphys.2026.77086.1286
الماجی, علا, حقیقت زاده, آزاده. تاثیر جهت گیری میدان الکتریکی بر جابجایی اشتارک گذارهای درون باندی در چاه کوانتومی شبه V-شکل GaAs/Ga0.55Al0.45As تحت تابش لیزر. فصلنامه علمی زیست فناوری گیاهان زراعی, 1404; (): -. doi: 10.30473/jphys.2026.77086.1286

تاثیر جهت گیری میدان الکتریکی بر جابجایی اشتارک گذارهای درون باندی در چاه کوانتومی شبه V-شکل GaAs/Ga0.55Al0.45As تحت تابش لیزر

فصلنامه علمی اپتوالکترونیک
مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 02 اسفند 1404
نوع مقاله: پژوهشی
شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2026.77086.1286
نویسندگان
علا الماجی1؛ آزاده حقیقت زاده* 2
1گروه فیزیک، واحد اهواز ، دانشگاه آزاد اسلامی ، اهواز، ایران
2مرکز تحقیقات مهندسی سطح پیشرفته و نانو مواد، گروه فیزیک، واحد اهواز ، دانشگاه آزاد اسلامی ، اهواز، ایران
چکیده
این مطالعه به شبیه سازی عددی اثرات هم زمان جهت میدان الکتریکی و تابش لیزری شدید بر جابجایی اشتارک در گذارهای درون‌باندی یک چاه کوانتومی ناهمگون با پتانسیل شبه V-شکل در ساختار GaAs/Ga₀.₅₅Al₀.₄₅As می‌پردازد. معادله شرودینگر در چارچوب تقریب جرم مؤثر و با به کارگیری پتانسیل مؤثر نوسانی به صورت عددی حل شد و رفتار سامانه تحت میدان‌های الکتریکی با قطبش‌های مختلف (F_z=±25 kV/cm) و دامنه‌های متفاوت میدان لیزری (α_0) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که تابش لیزری با ایجاد شکافی در بخش پایینی چاه، پتانسیل محدود کننده را از یک ساختار تک چاهی به یک ساختار دو چاهی نامتقارن تبدیل می کند. این تغییر موجب کاهش عمق مؤثر چاه، افزایش پهنای مؤثر آن و در نتیجه افزایش تعداد حالت های مقید و کاهش فاصله انرژی میان ترازها می شود. همچنین یافته ها حاکی از آن است که علامت و مقدار جابجایی اشتارک به طور چشمگیری به جهت میدان الکتریکی وابسته است؛ به گونه ای که وارونگی جهت میدان، منجر به وارونگی کامل علامت جابجایی در تمامی ترازهای انرژی می‌شود. افزون براین، شدت میدان لیزری به عنوان یک پارامتر کنترلی فعال، نقش تعیین کننده ای در دامنه و حساسیت این جابجایی ایفا می کند. این نتایج وجود یک برهم‌کنش سه‌گانه و قابل تنظیم میان ناهمگنی ساختاری چاه، میدان الکتریکی و میدان لیزری را تایید می کند؛ برهم کنشی که می‌توان از آن برای مهندسی و کنترل خواص الکترونوری در نانوادوات بهره برد.
کلیدواژه‌ها
چاه کوانتومی ناهمگن؛ جابجایی اشتارک؛ گذارهای درون باندی؛ میدان لیزری؛ پتانسیل شبه V-شکل
عنوان مقاله [English]
The effect of electric field orientation on the Stark shift of intra-band transitions in a semi-V-shaped GaAs/Ga0.55Al0.45As quantum well under laser irradiation
نویسندگان [English]
Alaa Almaji1؛ Azadeh Haghighatzadeh2
1Department of Physics, Ahv.C., Islamic Azad University, Ahvaz, Iran
2Advanced Surface Engineering and Nani Materials Research Center, Department of Physics, Ahv.C., Islamic Azad University, Ahvaz, Iran
چکیده [English]
This study presents a numerical simulation of the simultaneous effects of electric field orientation and intense laser radiation on the Stark shift phenomenon in intra-band transitions of a heterostructured quantum well with a GaAs/Ga₀.₅₅Al₀.₄₅As quasi-V-shaped potential. The numerical solution of the Schrödinger equation was performed within the framework of the effective oscillatory potential and the effective mass approximation, and the system's behavior under electric fields with different polarizations (F_z=±25 kV/cm) and various laser field amplitudes (α_0) was analyzed. The findings indicate that the laser field alters the potential configuration by creating a gap in the lower part of the well, changing it from a single-well to an asymmetric double-well configuration. This change is accompanied by a reduction in the effective depth and an increase in the effective width of the potential well, resulting in an increase in the number of bound states and a reduction in level spacings. The results related to the application of the electric field showed that the sign and magnitude of the Stark shift are sensitively dependent on the field direction, such that the inversion of the field direction leads to the inversion of the shift sign in all energy levels. Furthermore, the laser field strength, as an active control parameter, has a determining effect on the magnitude and sensitivity of this shift. These observations prove the existence of a controllable tripartite interaction between the heterogeneous well geometry, the electric field, and the laser field, which can be utilized for engineering optoelectronic properties in nanodevices.
کلیدواژه‌ها [English]
Heterostructured Quantum well, Stark shift, Intra-band transitions, Laser field, Semi-V-shaped potential
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 3


سامانه مدیریت نشریات علمی. قدرت گرفته از سیناوب