پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 49 |
| تعداد شمارهها | 1,264 |
| تعداد مقالات | 10,909 |
| تعداد مشاهده مقاله | 22,310,504 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 14,992,004 |
مهندسی گاف انرژی نانوساختار لایه های نازک سلنید مس: افزدون ناخالصی آلومینیوم با غلظت های مختلف | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 25 اسفند 1404 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2026.76695.1280 | ||
| نویسندگان | ||
| فاطمه صمدی* 1؛ نادر قبادی2؛ پویان غیاثی3 | ||
| 1فیزیک/علوم پایه/دانشگاه ملایر/ ملایر/ایران | ||
| 2فیزیک/علوم پایه/دانشگاه ملایر/ملایر/ایران | ||
| 3فیزیک/ علوم پایه/ دانشگاه ملایر/ملایر/ایران | ||
| چکیده | ||
| در پژوهش حاضر به بررسی دقیق تأثیر آلایش عنصر آلومینیوم بر خواص لایههای نازک نانوساختارِ سلنید مس در حین فرآیند رسوبگذاری اختصاص دارد. در این راستا، نانوساختارهای سلنید مس با غلظتهای متفاوتی از ناخالصی آلومینیوم (معادل 03/0 و 05/0مولار) با بهرهگیری از روش سادهی رسوبگذاری در حمام شیمیایی سنتز گردیدند. نتایج نشان میدهد که ورود اتمهای آلومینیوم به ساختار سلنید مس، به شکلگیری گذارهای الکترونی جدیدی منجر میشود که به فاز سلنید آلومینیوم نسبت داده میشوند. این پدیده، ظهور شکافهای انرژی چندگانه را در نمونههای آلاییده به همراه دارد. برای تحلیل و شناسایی خواص نمونهها، از طیفسنجی جذبی به منظور محاسبهی فاصله باند انرژی و همچنین برای آنالیز عنصری و آنالیز سطحی، از تکنیکهای EDX و FESEM بهره برده شد. مشاهدات حاکی از آن است که در بسیاری از نمونهها، وجود دو انتقال مجزا قابل تشخیص است که این انتقالات به ترتیب به گافهای نواری ذاتی سلنید مس و گاف نواری ناشی از حضور فاز سلنید آلومینیوم تعلق دارند. از این رو، بهکارگیری یک رویکرد دقیق و عملی برای تعیین انرژی شکاف نواری که به فرضیات اولیه در مورد ساختار ماده نیمهرسانا وابسته نباشد، امری ضروری است. در این تحقیق، مدل Tauc به عنوان یک ابزار کارآمد و معتبر برای این منظور انتخاب و مورد استفاده قرار گرفت. | ||
| کلیدواژهها | ||
| آلایش آلومینیوم؛ گذارهای الکترونی؛ نانوساختار لایه های نازک؛ انرژی اورباخ | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Nanostructured energy gap engineering of CuSe thin films: Addition of aluminum impurities with different concentrations | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Fatemeh Samadi1؛ nader ghobadi2؛ pouyan ghiasi3 | ||
| 1Physics Department/ Faculty of Sciences/Malayer/University/Malayer/Iran | ||
| 2Physics Department/ Faculty of Sciences/Malayer/University/Malayer/Iran | ||
| 3Physics Department/ Faculty of Sciences/Malayer/University/Malayer/Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| The present study is dedicated to a detailed investigation of the effect of Al- doping on the properties of thin films of CuSe nanostructures during the deposition process. In this regard, CuSe nanostructures with different concentrations of Al impurity (equivalent to 0.03 and 0.05 M) were synthesized using a simple chemical bath deposition(CBD) method. The results show that the introduction of aluminum atoms into the CuSe structure leads to the formation of new electronic transitions that are attributed to the AlSe phase. This phenomenon leads to the appearance of multiple energy gaps in the doped samples. To analyze and identify the properties of the samples, absorption spectroscopy was used to calculate the energy band gap, as well as EDAX and FESEM techniques for elemental and surface analysis. Observations indicate that in many samples, the existence of two distinct transitions can be distinguished, which belong to the intrinsic band gaps of CuSe and the band gap due to the presence of the AlSe phase, respectively. Therefore, it is essential to employ an accurate and practical approach to determine the band gap energy that does not depend on initial assumptions about the structure of the semiconductor material. In this study, the Tauc model was selected and used as an efficient and valid tool for this purpose. | ||
| کلیدواژهها [English] | ||
| Al doping, Urbach energy, electronic transitions, nanostructured thin films, Tauc model | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 2 |
||