پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 49 |
| تعداد شماره‌ها | 1,341 |
| تعداد مقالات | 11,593 |
| تعداد مشاهده مقاله | 25,478,253 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 16,853,908 |
مطالعه اثر آلایش 3 تا 6 گانه کربن بر خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانوصفحات نیترید بور شش‌ضلعی مبتنی بر نظریه تابعی چگالی (DFT) | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 24 آبان 1405 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2026.79193.1314 | ||
| نویسندگان | ||
| مصطفی رزم آرا1؛ حکیمه محمدپور* 2؛ آرش فیروزنیا3 | ||
| 1دانشگاه شهید مدنی آذربایجان | ||
| 2عضو هیات علمی دانشگاه شهید مدنی آذربایجان | ||
| 3گروه فیزیک، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی و ترابرد الکترونی صفحات نیترید بور شش‌ضلعی (h-BN) آلاییده با n کربن، با استفاده از نظریة تابعی چگالی (DFT) همراه با فرمول‌بندی تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) بررسی شد. همة پیکربندی‌ها از لحاظ نظری امکان تشکیل شدن را دارند، به‌طوری که صفحة h-BN آلاییده با 3C کم‌ترین انرژی تشکیل و بالاترین پایداری را نشان می‌دهد. آلاینده‌های کربنی چندضلعی، ترازهای ناخالصی را در گاف نواری h-BN خالص ایجاد می‌کنند و آن را ازeV ۶/۴ اولیه به eV ۶۶/۲- ۱۲/۱ کاهش می‌دهند. افزایش اندازة چندضلعی، تغییر شکل موضعی شبکه در اطراف مکان‌های آلاییده را افزایش می‌دهد و منجر به ساختار نواری نامتقارن، ترابرد اصلاح‌شده و افزایش ولتاژهای آستانه می‌شود. ساختار h-BN آلاییده با ساختار کربنی 3C، کوچک‌ترین گاف نواری و ساختار h-BN آلاییده با 4C بیش‌ترین گاف را نشان می‌دهد. همچنین، پیکربندی h-BN آلاییده با ساختار کربنی 5C بزرگ‌ترین و صفحة h-BN آلاییده با 3C کم‌ترین نسبت یکسوسازی را نشان می‌دهد. این نتایج نشان می‌دهند که تغییر شکل موضعی ساختار ناشی از آلایش با چندضلعی کربنی، نقش کلیدی در اصلاح ترابرد الکترونی ایفا می‌کند و روشی مؤثر برای طراحی دستگاه‌های نانوالکترونیکی و اپتوالکترونیکی دوبعدی قابل تنظیم مبتنی بر h-BN ارائه می‌دهد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| نیترید بور؛ آلایش کربن؛ DFT؛ ویژگی‌های ترابرد | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| A DFT Study of the impact of 3-6 gonal Carbon Doping on the Structural, Electronic and Transport Properties of h-BN Nano Sheets | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Mostafa Razmara1؛ Hakimeh Mohammadpour2؛ Arash Phirouznia3 | ||
| 1Azarbaijan Shahid Madani University -Tabriz-Iran | ||
| 2Associate Professor, Azarbaijan Shahid Madani University | ||
| 3Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University, Tabriz, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| Structural, electronic and transport properties of n-gonal carbon-doped hexagonal boron nitride (h-BN) sheets were investigated using density functional theory (DFT) combined with the non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism. All configurations are theoretically feasible, with the 3C-BN sheet exhibiting the lowest formation energy and the highest stability. Polygonal carbon incorporation introduces localized states within the band gap, reducing it from 4.6 eV (pristine h-BN) to 1.12-2.66 eV. Increasing the polygon size enhances local lattice deformation around dopant sites, leading to asymmetric band structure, modified transport and a higher threshold voltage. The 3C-BN sheet, shows the smallest and the 4C-BN sheet displays the widest gap. The 5C-BN sheet shows the largest and the 3C-BN sheet shows the lowest rectification ratio. results demonstrate that local structural distortion induced by polygonal carbon doping plays a key role in modulating charge transport, offering an effective route to design tunable 2D h-BN-based nanoelectronic and optoelectronic devices. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| BN, carbon Doping, DFT, Transport properties | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 4 |
||