پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 41 |
| تعداد شماره‌ها | 1,172 |
| تعداد مقالات | 10,095 |
| تعداد مشاهده مقاله | 18,922,450 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 13,128,423 |
بررسی خواص ترموالکتریکی ساختارهای مبتنی بر دی‌کالکوژن‌های دو بعدی MoS2 /MoS2 ,WTe2 /WTe2 ,MoS2/WTe2 | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقاله 4، دوره 6، شماره 3 - شماره پیاپی 16، اردیبهشت 1403، صفحه 29-36 اصل مقاله (1.42 M) | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2024.69797.1174 | ||
| نویسندگان | ||
| مریم اسرافیلیان* 1؛ نادیا سلامی2؛ علی اصغر شکری3 | ||
| 1استادیار،گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران. | ||
| 2دانشیار،گروه فیزیک، واحد یاسوج، دانشگاه آزاد اسلامی، یاسوج، ایران. | ||
| 3استاد، گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران. | ||
| چکیده | ||
| در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی‌سولفاید و دیگری تنگستن دی‌تلوراید بررسی می‌کنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) هستند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی بررسی شد. نتایج نشان می‌دهند، پیکربندی مولیبیدن دی‌سولفاید/ تنگستن دی‌تلوراید با ساختار لبه آرمچیر مطلوب‌ترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله می‌تواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایه‌های دو بعدی مفید باشد | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| نانونوار مولیبیدن دی‌سولفاید؛ نانونوار تنگستن دی‌تلوراید؛ خواص ترموالکتریکی؛ ضریب سیبک؛ هدایت الکتریکی و گرمایی؛ ضریب بهینگی | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Investigating the Thermoelectric Properties of Structures based on Two-Dimensional Dichalcogenides MoS2/MoS2, WTe2/WTe2, MoS2/WTe2 | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Maryam Esrafilian1؛ Nadia Salami2؛ Aliasghar shokri3 | ||
| 1Assistant Professor, Department of Physics, Payame Noor University, Tehran, Iran | ||
| 2Assistant Professor, Department of Physics, Yasouj Branch, Islamic Azad University, Yasouj, Iran. | ||
| 3Professor, Department of Theoretical and Nano Physics, Alzahra University, Tehran, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| In this study, the thermoelectric properties of system based on molybdenum disulfide and tungsten di-telluride are investigated in three combinations with two identical nanoribbons of molybdenum disulfide and tungsten di-telluride in the upper and lower layer, as well as a structure with two different layer, one molybdenum disulfide and the other tungsten-di-telluride. These properties include the electrical conductivity coefficient (G), thermal conductivity (κe), Seebeck coefficient or thermoelectric power (S) and efficiency coefficient (ZTe). which are suitable for the design of thermoelectric devices. The effect of the type of combinations of two-dimensional heterogeneous structures and temperature on thermodynamic properties was investigated. The results show that molybdenum-disulfide/tungsten-di-telluride configuration with Armchair edge structure has the most desirable thermoelectric properties. The results of this article can be useful in the design of nano electric devices based on two-dimensional layers. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| Nanoribbons of Molybdenum Disulfide, Nanoribbons of Tungsten DiTelluride, Thermoelectric Properties, Seebeck Coefficient, Electrical and Thermal Conductivity, Efficiency Coefficient | ||
| مراجع | ||
|
[1] M.V. Fischetti, W.G. Vandehberghe, Physics of electronic transport in two-dimensional materials for future FETs, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (2016) 14.2.1-14.2.4.
[2] K. Lee, Graphene and beyond: Electron transport in two dimensional materials, Thesis (2015).
[3] M.Y. Li, C.H. Chen, Y. Shi, L.J. Li, Heterostructures based on two-dimensional layered materials and their potential applications, Mater. Today 19 (2016) 322-335.
[4] M.O. Li, D. Esseni, J.J. Nahas, D. Jena, H.G. Xing, Two-dimensional heterojunction interlayer tunneling field effect transistors (Thin-TFETs), IEEE J. Electron Devices Soc. 3 (2015) 200-207.
[5] V.K. Sangwan, M.C. Hersam, Electronic transport in two-dimensional materials, Annu. Rev. Phys. Chem. 69 (2015) 299.
[6] J. Cao, A. Cresti, D. Esseni, M. Pala, Quantum simulation of a heterojunction vertica tunnel FET based on 2D transition metal dichalcogenides, Solid-State Electron. 116 (2016) 1-7.
[7] M.Y. Li, C.H. Chen, Y. Shi, L.J. Li, Heterostructures based on two-dimensional layered materials and their potential applications, Mater. Today 19 (2016) 322-335.
[8] A. Srivastava, M.S. Fahad, Vertical MoS2/hBN/MoS2 interlayer tunneling field effect transistor, Solid-State Electron. 126 (2016) 96.
[9] A. Shokri, N. Salami, Thermoelectric properties in monolayer MoS2 nanoribbons with Rashba spinorbit interaction, J. Mater. Sci. 54 (2019) 467-482.
[10] Y.H. Huang, R.S. Chen, J.R. Zhang, Y.S. Huang, Electronic transport in NbSe2 two-dimensional nanostructures Semiconducting characteristics and photoconductivity, Nanoscale 7 (2015) 45.
[11] J. Hong, C. Lee, J.S. Park, J.H. Shim, Control of valley degeneracy in MoS2 by layer thickness and electric field and its effect on thermoelectric properties electronic transport in Two-Dimensional materials, Phys. Rev. B 93 (2016) 035445.
[12] Q.-Y. Li, Q. Hao, T. Zhu, M. Zebarjadi, K. Takahashi, Nanostructured and Heterostructured 2D Materials for Thermoelectrics, Eng. sci. 13 (2021) 24-50.
[13] J. Cao, A. Cresti, D. Esseni, M. Pala, Quantum simulation of a heterojunction vertical tunnel FET based on 2D transition metal dichalcogenides, Solid-State Electron. 116 (2016) 1-7.
[14] A. Srivastava, M.S. Fahad, Vertical MoS2/hBN/MoS2 interlayer tunneling field effect transistor, Solid-State Electron. 126 (2016) 96.
[15] A. Nourbakhsh, A. Zubair, M.S. Dresselhaus, T. Palacios, Transport properties of a MoS2/WSe2 heterojunction transistor and its potential for application (Thin-TFETs), Nano Lett. 16 (2016) 1359-1366.
[16] X. Li, H. Zhu, Two-dimensional MoS : Properties, preparation, and applications, J. Mater. 1 (2015) 33-44.
[17] N. Salami ,A. Shokri, Geometrical effects on the thermoelectric properties of single/bilayer graphene junctions. Journal of Research on Many-body Systems, Volume 10, Number 3, autumn 2020 10.22055/JRMBS.2020.16179
[18] Salami, N., Shokri, A. A., (2016), Electronic properties of MoS2 nanoribbons with disorder effects, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 0022-3697
[19] Lam, K.-T., Seol, G., Guo, J. Performance evaluation of MoS2-WTe2 vertical tunneling transistor using real-space quantum simulation, (2015), Electron Devices Meeting, 1988. IEDM '88. Technical Digest., International.
[20] Q.-Y. Li, Q. Hao, T. Zhu, M. Zebarjadi, K. Takahashi, Nanostructured and Heterostructured 2D Materials for Thermoelectrics, Eng. sci. 13 (2021) 24-50.
[21] A. Shokri, M. Esrafilian, N. Salami, Quantum transport of tunnel field effect transistors based on bilayer-graphene nanoribbon heterostructures, physica E 119 (2020) 113908. | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 236 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 228 |
||