پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 41 |
| تعداد شمارهها | 1,105 |
| تعداد مقالات | 9,457 |
| تعداد مشاهده مقاله | 17,069,794 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 11,962,656 |
پیشبینی نیمههادی های دهنده و پذیرنده برای کاربرد اسپینترونیک با دوپینگ فلز واسطه (3d, 4d, 5d) روی تکلایه نیمههادی ذاتی PdS2 | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 17 مرداد 1403 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2024.71403.1193 | ||
| نویسندگان | ||
| مجتبی غلامی* ؛ بهاره آذروند حسن فرد | ||
| گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ فلزات 3d(Ti,Cr,Co) ،4d(Zr,Mo) و 5d(Hf,W,Ir,Au) سطح فرمی به داخل CBM نفوذ کرده یا اینکه بالای VBM و نزدیک آن واقع شده است در این حالت ساختار دوپینگ شده نقش نیمه هادی دهنده بازی می کند.اما ساختارالکترونی PdS2 در اثر دوپینگ فلزات 3d(Ni,Zn) ،4d(Pd,Cd) و 5d(Pt,Hg) تغییر کرده و همچنان نیمه هادی داتی باقی می ماند بگونه ای که بیشترین گاف انرژی مربوط به همین فلزات می باشد.دوپینگ فلزات 3d(V,Mn,Cu) ،4d(Nb,Tc,Ag) و5d(Ta,Re) ساختار الکترونی سیستم را به کلی تغییر داده و سیستم تبدیل به رسانا می شود.این تغییرات متنوع می تواند اساس ایده های علمی برای ساخت وسایل اسپینرونیک تلقی شود. | ||
| کلیدواژهها | ||
| تک لایه PdS2؛ نیمه هادی ذاتی؛ دوپینگ فلزات واسطه؛ اسپینترونیک | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| acceptor and donor semiconductors prediction for spintronics application with (3d, 4d, 5d) transition metal doping on the intrinsic PdS2 semiconductor monolayer. | ||
| نویسندگان [English] | ||
| mojtaba gholami؛ Bahareh Azarvand-Hassanfard | ||
| Department of Physics, Payame Noor University, Tehran, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| In this article, electronic properties have been studied by substitution doping of 3d, 4d and 5d metals on PdS2 single layer. The obtained results show that in substitution doping of metals 3d(Sc, Fe), 4d(Y, Ru, Rh) and 5d(Os) instead of a Pd atom has shifted into the VBM, or is located under the CBM and near it, so it has the structure of an acceptor semiconductor. But for doping 3d(Ti, Cr, Co), 4d metals (Zr,Mo) and 5d(Hf,W,Ir,Au) Fermi level has penetrated into the CBM or is located above the VBM and near it, in this case the doped structure plays the role of a donor semiconductor. But the electronic structure of PdS2 Due to the doping of 3d (Ni, Zn), 4d (Pd, Cd) and 5d (Pt, Hg) metals, it is changed and remains a dot semiconductor, as the highest energy gap is related to these metals. Doping 3d metals (V, Mn, Cu), 4d (Nb, Tc, Ag) and 5d (Ta, Re) completely change the electronic structure of the system and the system becomes a conductor. These various changes can be the basis of scientific ideas for making devices be considered spinronic. | ||
| کلیدواژهها [English] | ||
| PdS2 monolayer, intrinsic semiconductor, transition metal doping, spintronics | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 58 |
||