پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 41 |
| تعداد شمارهها | 1,138 |
| تعداد مقالات | 9,757 |
| تعداد مشاهده مقاله | 17,852,716 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 12,467,906 |
مطالعه نانومیلههای اکسید روی خالص و دوپ شده با نیکل به روش لایه نشانی لیزر پالسی | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| دوره 7، شماره 2 - شماره پیاپی 19، دی 1403 | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2024.72650.1218 | ||
| نویسنده | ||
| احمد کمالیان فر* | ||
| دانشکده علوم پایه، دانشگاه فرهنگیان، تهران، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، نانو ساختار میله ای شکل اکسید روی و اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل بر روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگی های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها با تکنیک های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می دهد که نانومیله ها در جهت های کاتوره ای رشد یافته اند. ویژگی های اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونه ها انجام شد. افزایش شکاف باند از 3.18 به 3.26 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده می شود. طیف فوتولومینسانس (PL) نمونه ها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده انجام گرفت. در طیف PL نمونه ها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است که می تواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قله های نمودار رمان (roman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حاملهای بار قابل توجه است. نتایج نشان می دهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگی های اپتیکی ZNO را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است. | ||
| کلیدواژهها | ||
| اپتوالکترونیک؛ نانو میله؛ لایه نشانی لیزر پالسی؛ دوپ نیکل در اکسید روی | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Study of ZnO and Ni doped ZnO nanorods synthesized by pulse laser deposition | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Ahmad Kamalianfar | ||
| Department of Physics, University of Farhangian, Tehran 1998963341, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| A B S T R A C T In this work, undoped and Ni-doped ZnO nanopods were deposited on silicon substrate by pulsed-laser deposition (PLD) machine. The morphogical, optical and electricl properties of Ni-doped ZnO nanopods films were examined by utilizing various techniques. SEM images of the surface of the samples showed that the randomly oriented nanorods were grown on the substrate. The optical study was carried out to investigate the transmittance (T), band gap (Eg) and photoluminace of Ni doped ZnO. An increase in transmittance and band gap was observed after Ni doping. The optical band gap increaed slightly from 3.18 to 3.26 eV after adding Ni particle. The spectrum exhibited two characteristic emission peaks around 410 and 482 nm. Photoluminescence (PL) spectroscopy measurements are carried out to study the defects in grown thin films. The results indicate that Ni doping enhanced the optical charactteristics of the ZnO thin film and would be suitable candidates for optoelectric applictions | ||
| کلیدواژهها [English] | ||
| Optoelectric, Nanorods, Pulse laser Deposition, Ni doped ZnO | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 27 |
||