
تعداد نشریات | 41 |
تعداد شمارهها | 1,143 |
تعداد مقالات | 9,829 |
تعداد مشاهده مقاله | 18,073,761 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 12,636,395 |
تعیین تجربی پارامترهای اپتیکی لایههای نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس به روش تبخیر خلاء | ||
فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 25 دی 1403 | ||
نوع مقاله: پژوهشی | ||
شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2025.72857.1222 | ||
نویسندگان | ||
معصومه ناصری تکیه* 1؛ رستم مرادیان2 | ||
1گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ملایر، ملایر، ایران | ||
2دانشگاه رازی کرمانشاه | ||
چکیده | ||
لایههای نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس با موفقیت به روش تبخیر خلاء تهیه شدند. با استفاده از طیف سنجی مرئی-فرابنقش خواص نوری آنها بررسی شد. در ناحیه شفاف نمونه لایه نازک سلنیدروی عبور بهتری نسبت به لایه نازک سلنیدروی/مس را از خود نشان داد. ضریب شکست نمونه سلنیدروی در طول موجهای پایین به طول موج وابسته است اما در طول موجهای بیشتر از 600 نانومتر بدون وابستگی به طول موج و دارای مقدار ثابت حدوداً 5/1 میباشد. برای نمونه سلنیدروی/مس ضریب شکست وابستگی کمی به طول موج مشاهده میشود و تقریبا مقدار بین 5/1 تا 6/1 را دارد. ضریب خاموشی برای هر دو نمونه با افزایش طول موج، کاهش مییابد. قسمت حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک به ترتیب رفتاری مشابه ضریب شکست و ضریب خاموشی از خود نشان دادند. از این مطالعه می توان نتیجه گرفت که هر دو لایه نازک با چنین ویژگیهای نوری برای کاربردهای اپتوالکترونیکی مناسب هستند. | ||
کلیدواژهها | ||
سلنیدروی؛ سلنیدروی/مس؛ لایه نازک؛ ضریب شکست و خاموشی؛ ثابت دی الکتریک | ||
عنوان مقاله [English] | ||
Experimental determination of optical parameters of ZnSe and ZnSe/Cu thin films using the vacuum evaporation | ||
نویسندگان [English] | ||
Masome Naseri Tekyeh1؛ rostam moradian2 | ||
1Department of Physics, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran | ||
2razi university of kermanshah | ||
چکیده [English] | ||
The ZnSe and ZnSe/Cu thin films were successfully prepared using the vacuum evaporation progress. Their optical properties were investigated using UV-vis spectroscopy. The ZnSe thin film showed better transmission in the transparent region than the ZnSe/Cu thin film. The refractive index of the ZnSe sample depends on the wavelength at low wavelengths, but at wavelengths longer than 600 nm, it is independent of the wavelength and has a constant value of about 1.5. For the ZnSe/Cu sample, the refractive index slightly depends on the wavelength and has an almost constant value between 1.5 and 1.6. The samples' extinction coefficient decreases with increasing wavelength. Real and imaginary dielectric constants illustrated the same behavior as the refractive index and extinction coefficient. From this study, it can be indicated that both thin films with these optical properties are suitable for optoelectronic applications. | ||
کلیدواژهها [English] | ||
ZnSe, ZnSe/Cu, Thin film, Refractive index and Extinction coefficient, Dielectric constant | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 46 |