پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 41 |
| تعداد شماره‌ها | 1,162 |
| تعداد مقالات | 10,023 |
| تعداد مشاهده مقاله | 18,743,464 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 13,012,771 |
شبیه سازی و طراحی سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs2PtI6 با استفاده ازCBTS به عنوان لایه هدایت کننده حفره | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 07 اسفند 1403 اصل مقاله (407.54 K) | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2025.73114.1227 | ||
| نویسنده | ||
| ندا احمدی* | ||
| گروه علوم پایه، واحد گرمسار،دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مطالعه، سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs2PtI6 (سزیوم پلاتینوم یدید) توسط نرم افزار SCAPS-1D مورد بررسی قرار گرفت و اثر ضخامت لایه پروسکایت، دما، ودانسیته نقص ها بر پارامترهای فوتوولتاییک بررسی گردید. ساختار سلول خورشیدی پیشنهادی n-i-p بوده و معماری آن به صورت ITo/Tio2/Cs2PtI6/CBTS/Au میباشد. پارامترهای محاسبه شده، ولتاژمدار باز، جریان اتصال کوتاه، ضریب پرشدگی، بازدهی، و بازدهی کوانتومی سلول خورشیدی میباشد. نتایج این تحقیق نشان میدهد افزایش ضخامت لایه پروسکایت تا حدی که از طول نفوذ حامل های بار بیشتر نشود راندمان سلول خورشیدی را 29/2% افزایش میدهد. همچنین مشخص شد که افزایش 110 کلوین دما باعث کاهش راندمان 10/7 % بازدهی سلول خورشیدی میشود. از سوی دیگر مشاهده شد که افزایش دانسیته نقص در لایه پروسکایت به شدت باعث کاهش بهره وری سلول خورشیدی به میزان 36/8 % میباشد. این یافته‌ها اهمیت بهینه‌سازی مواد و پایداری عملیاتی را در طراحی سلول‌های خورشیدی پروسکایت بدون سرب کارآمد نشان میدهد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| سلول خورشیدی؛ پروسکایت بدون سرب؛ اسکپس یک بعدی؛ بازده کوانتومی | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Numerical simulation and design of lead-free perovskite Cs2PtI6 solar cell with CBTS as a hole transport layer | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Neda Ahmadi | ||
| . Department of Basic Sciences, Garmsar Branch, Islamic Azad University, Garmsar, Iran | ||
| چکیده [English] | ||
| This study systematically analyzed a lead-free perovskite solar cell based on Cs₂PtI₆ (Cesium Platinum Iodide) using the Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS-1D). The investigation focused on the effects of perovskite layer thickness, operating temperature, and defect density on key photovoltaic parameters, including the short-circuit current density, open-circuit voltage, fill factor, power conversion efficiency, and quantum efficiency. The model structure was utilized as a proposed n-i-p device architecture comprising ITO/TiO₂/Cs₂PtI₆/CBTS/Au. The results indicate that optimizing the perovskite layer thickness, provided it does not exceed the charge carrier penetration depth, can increase the efficiency by up to 29.2%. Conversely, increasing the operating temperature by approximately 110 K results in a 10.7% efficiency reduction. Furthermore, a significant decline in efficiency (36.8%) was observed due to defect-induced recombination within the perovskite layer. These findings highlight the importance of material optimization and operational stability in the design of efficient, lead-free perovskite solar cells. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| Solar cell, lead-free perovskite, SCAPS- 1D, Quantum efficiency | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 104 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 3 |
||