
تعداد نشریات | 41 |
تعداد شمارهها | 1,144 |
تعداد مقالات | 9,840 |
تعداد مشاهده مقاله | 18,131,445 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 12,666,547 |
مطالعۀ خواص اپتیکی ترکیبات چهارتایی AlInGaN | ||
فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
مقاله 3، دوره 1، شماره 1، شهریور 1395، صفحه 21-28 اصل مقاله (238.62 K) | ||
نوع مقاله: پژوهشی | ||
نویسندگان | ||
ثمین ابراهیمی* 1؛ سید علی هاشمیزاده عقداء2 | ||
1کارشناس ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور | ||
2استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور | ||
چکیده | ||
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دیالکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفتهاند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج بهدستآمده از ساختار الکترونی و نواری را تأیید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار میرود این آلیاژها خیلی راحتتر بهعنوان نیمرساناهای نوع p آلاییده شوند. | ||
کلیدواژهها | ||
خواص اپتیکی؛ نظریۀ تابعی چگالی؛ روش امواج تخت به ساخته خطی با پتانسیل کامل؛ آلومینیوم ایندیم گالیم نیترید | ||
عنوان مقاله [English] | ||
The Study of Optical properties of AlInGaN Guatemary Compounds | ||
نویسندگان [English] | ||
Samin Ebrahimi1؛ Seis Ali Hashemizadeh-aghda2 | ||
چکیده [English] | ||
In this article, optic properties of AlInGaN compounds such as real and imaginary part of dielectric function, optical conductivity, refractive index and extinction index have been investigated. Calculation have performed using Full Potential Linear Approximation Plane Wave method inDensity Functional Theory framework by WIEN2K package. Finally, the optical properties of these compounds were examined which confirmed the results of the electronic and band structures. We also noticed that the VBM of these alloys is higher than the GaN in the fixed band gap. So it is expected that these alloys are doped much easier than P-type semiconductors. | ||
کلیدواژهها [English] | ||
Optical Propertiest, density functional theory, Ad-vanced Linear Plane Wave Method with Full Potential, Aluminum Indium Gallium Nitride | ||
مراجع | ||
[1] C.A.M. Fabien, B.P. Gunning, J.J. Merola, E.A. Clinton, and W. A. Doolittle, “Large-area III-nitride double-heterojunction solar cells with record-high in-content InGaN absorbing layers,” in Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2015 IEEE 42nd, 2015, pp. 1–3.
[2] Y.-H. Cho, “(Invited) Nitride Semiconductor Quantum Structures for Novel Nanophotonic Devices,” in PRiME 2016/230th ECS Meeting (October 2-7, 2016), 2016.
[3] J. Zhang and N. Tansu, “Optical gain and laser characteristics of InGaN quantum wells on ternary InGaN substrates,” IEEE Photonics J., vol. 5, no. 2, p. 2600111, 2013.
[4] D.F. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, “Semipolar InGaN/GaN light-emitting diodes for high-efficiency solid-state lighting,” J. Disp. Technol., vol. 9, no. 4, pp. 190–198, 2013.
[5] Y.J. Hwang, C.H. Wu, C. Hahn, H.E. Jeong, and P. Yang, “Si/InGaN core /shell hierarchical nanowire arrays and their photoelectrochemical properties,” Nano Lett., vol. 12, no. 3, pp. 1678–1682, 2012.
[6] Y.V Kuznetsova, V.N. Jmerik, D.V Nechaev, A.M. Kuznetsov, and M.V Zamoryanskaya, “Specific features of the cathodoluminescence spectra of AlInGaN QWs, caused by the influence of phase separation and internal electric fields,” Semiconductors, vol. 50, no. 7, pp. 904–909, 2016.
[7] P.Y.B. and T.B. and M.F.R. and F.C. and M.F. and R. Goldhahn, “Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures,” Semicond. Sci. Technol., vol. 30, no. 8, p. 85014, 2015.
[8] F. Wang, S.S. Li, J.B. Xia, H.X. Jiang, J.Y. Lin, J. Li, and S.H. Wei, “Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys,” Appl. Phys. Lett., vol. 91, no. 6, p. 061125, 2007.
[9] N. H. A. Raof, S. S. Ng, H. A. Hassan, Z. Hassan, M. Rusop, and T. Soga, “The Study of Energy Band Gap of In[sub x]Al[sub y]Ga[sub 1−x−y]N Quaternary Alloys using UV-VIS Spectroscopy,” in AIP Conference Proceedings, 2009, pp. 176–180.
[10] G. Madsen, P. Blaha, K. Schwarz, E. Sjöstedt, and L. Nordström, “Efficient linearization of the augmented plane-wave method,” Phys. Rev. B, vol. 64, no. 19, p. 195134, Oct. 2001.
[11] D.D. Koelling and G.O. Arbman, “Use of energy derivative of the radial solution in an augmented plane wave method: application to copper,” J. Phys. F Met. Phys., vol. 5, no. 11, pp. 2041–2054, Nov. 1975.
[12] E. Hecht, “Optics, 4th,” Int. Ed. Addison-Wesley, San Fr., vol. 3, 2002. | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,781 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,886 |