پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 41 |
| تعداد شمارهها | 1,103 |
| تعداد مقالات | 9,450 |
| تعداد مشاهده مقاله | 17,044,646 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 11,950,751 |
بررسی اثر پیچشی روی خواص الکترونی نانو ساختارهای دو لایهای گرافین و بورن نیترید | ||
| فصلنامه علمی اپتوالکترونیک | ||
| مقاله 6، دوره 3، شماره 1 - شماره پیاپی 8، اسفند 1399، صفحه 51-58 اصل مقاله (255.23 K) | ||
| نوع مقاله: پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.30473/jphys.2019.42641.1073 | ||
| نویسندگان | ||
| آزاده اشکش* 1؛ علی اصغر شکری2 | ||
| 1کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور | ||
| 2استاد، گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله، خواص الکتریکی گرافین و بورن نیترید دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. تاثیر وجود لایهها روی همدیگر و همچنین پیچش لایهها روی همدیگر مطالعه میشود. وجود لایۀ اضافه موجب ایجاد تراز هایی اضافه میشود که در مورد گرافین همچنان رسانندگی این ماده را حفظ میکند ولی تحرکپذیری آن را به شدت کم میکند. اثر پیچش در گرافین و بورن نیترید موجب افزایش تعداد نوارهای انرژی به هشت عدد میشود که افزایش زاویۀ پیچش منجر به حرکت نقطۀ اتصال لبههای رسانش و ظرفیت در گرافین به سمت مرکز منطقۀ بریلوئن شده است. در مورد بورن نیترید اثر پیچش موجب انتقال محل گاف نواری به سمت مرکز منطقۀ بریلوئن میشود. این انتقال با افزایش زاویۀ پیچش بیشتر و بیشتر میشود. | ||
| کلیدواژهها | ||
| رابطۀ پاشندگی؛ گرافین؛ بورن نیترید؛ خواص الکترونی؛ اثر پیچش | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Investigating the Twisted Effect on Electronic Properties of Graphene and Boron- Nitride Bilayers Nanostructures | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Azadeh Ashkesh1؛ Aliasghar Shokri2 | ||
| 1M.A., Department of Physics, Payame Noor University | ||
| 2Professor, Department of Physics, Payame Noor University | ||
| چکیده [English] | ||
| In this paper, the electrical properties of graphene and boron nitride are studied. The effect of the layers on each other and also the twisting of the layers on each other were studied. The presence of an additional layer creates additional levels, which, in the case of graphene, maintains the conductivity of the material, but reduces its mobility dramatically. The curvature of graphene and boron nitride increases the number of energy strips to eight. Increasing the bending angle leads to the movement of the point of attachment of the conduction edges and also to the movement of the capacity of the graphene to the center of the region of the brillouin. . In the case of boron nitride, the curvature transfers the band gap to the center of the brillouin region. This transmission increases with increasing the angles of twisting. | ||
| کلیدواژهها [English] | ||
| Dispersion Relation, Graphene, Boron Nitride, Elec-tron Properties, Twisting Effect | ||
| مراجع | ||
|
[1] M.S.A. Bhuyan, M.N. Uddin, M.M. Islam, F.A. Bipasha, S.S. Hossain, Synthesis of graphene, International Nano Letters, 6 (2016) 65-83. [2] S. Stankovich, D.A. Dikin, R.D. Piner, K.A. Kohlhaas, A. Kleinhammes, Y. Jia, Y. Wu, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff, Synthesis of graphene-based nanosheets via chemical reduction of exfoliated graphite oxide, carbon, 45 (2007) 1558-1565. [3] H.-L. Guo, X.-F. Wang, Q.-Y. Qian, F.-B. Wang, X.-H. Xia, A green approach to the synthesis of graphene nanosheets, ACS nano, 3 (2009) 2653-2659. [4] R. Saito, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, Physical properties of carbon nanotubes, World Scientific, 1998. [5] A. Bahari, M. Amiri, Simulation Study of the Electron and Hole Transport in a CNTFET, Communications in Theoretical Physics, 59 (2013) 121. [6] H. Rafii-Tabar, Computational modelling of thermo-mechanical and transport properties of carbon nanotubes, Physics Reports, 390 (2004) 235-452. [7] W. Landgraf, S. Shallcross, K. Türschmann, D. Weckbecker, O. Pankratov, Electronic structure of twisted graphene flakes, Physical Review B, 87 (2013) 075433. [8] X. Blase, A. Rubio, S. Louie, M. Cohen, Stability and band gap constancy of boron nitride nanotubes, EPL (Europhysics Letters), 28 (1994) 335. [9] M. Bagheri, A. Bahari, M. Amiri, B. Dehbandi, Electronic and structural properties of Au-doped zigzag boron nitride nanotubes: A DFT study, Solid State Communications, 189 (2014) 1-4. [10] A. Kuzmenko, I. Crassee, D. Van Der Marel, P. Blake, K. Novoselov, Determination of the gate-tunable band gap and tight-binding parameters in bilayer graphene using infrared spectroscopy, Physical Review B, 80 (2009) 165406. [11] H. Kim, N. Leconte, B.L. Chittari, K. Watanabe, T. Taniguchi, A.H. MacDonal, J. Jung, S. Jung, Accurate Gap Determination in Monolayer and Bilayer Graphene / h-BN Moire Superlattices, Nano Lett, 2018, 18, 12, 7732-7741
[12] K. Lee, E. Liu, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Nah, Interface State in Bilayer Graphene Encapsulated by Hexagonal Boron Nitride, Mater Interfaces, 2018, 10, 48, 40985-40989. | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 413 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 173 |
||